FEMC512GBE-E530 NAND मेमोरी IC 4Tb 200MHz नॉन वोलाटाइल मेमोरी IC

उत्पत्ति के प्लेस सिंगापुर
ब्रांड नाम Flexxon Pte Ltd
प्रमाणन RoHS
मॉडल संख्या FEMC512GBE-E530
न्यूनतम आदेश मात्रा 1
मूल्य negotiations
पैकेजिंग विवरण ट्रे
प्रसव के समय 5-10 कार्य दिवस
भुगतान शर्तें टी/टी
आपूर्ति की क्षमता 10

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उत्पाद विवरण
आदर्श FEMC512GBE-E530 तकनीकी फ्लैश - नंद (टीएलसी)
उत्पाद की स्थिति सक्रिय मेमोरी प्रकार गैर वाष्पशील
परिचालन तापमान -25 डिग्री सेल्सियस ~ 85 डिग्री सेल्सियस माउन्टिंग का प्रकार माउंट सतह
हाई लाइट

FEMC512GBE-E530 NAND मेमोरी IC

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NAND मेमोरी IC 4Tb

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200MHz नॉन वोलाटाइल मेमोरी IC

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उत्पाद विवरण

FEMC512GBE-E530 फ्लैश - NAND (TLC) मेमोरी IC 4Tb EMMC_5.1 200MHz 100-FBGA

 

एमएफआर
फ्लेक्सॉन पीटीई लिमिटेड
श्रृंखला
एक्सो
उत्पाद की स्थिति
सक्रिय
मेमोरी प्रकार
गैर वाष्पशील
मेमोरी प्रारूप
CHAMAK
तकनीकी
फ्लैश - नंद (टीएलसी)
मेमोरी का आकार
4टीबी (512जी x 8)
मेमोरी इंटरफ़ेस
ईएमएमसी_5.1
घड़ी की आवृत्ति
200 मेगाहर्ट्ज
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ
-
वोल्टेज आपूर्ति
2.7 वी ~ 3.6 वी
परिचालन तापमान
-40 डिग्री सेल्सियस ~ 85 डिग्री सेल्सियस
माउन्टिंग का प्रकार
माउंट सतह
पैकेज / मामला
100-एलबीजीए
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
100-एफबीजीए (14x18)

 

मूल

 

हमारी कंपनी सुनिश्चित करती है कि उत्पादों का प्रत्येक बैच मूल कारखाने से आता है, और मूल लेबल और पेशेवर परीक्षण एजेंसी रिपोर्ट प्रदान कर सकता है।

 

कीमत

 

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वितरण चक्र

 

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पैकेजिंग

 

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