IRS2181STRPBF इंटीग्रेटेड सर्किट चिप हाफ ब्रिज गेट ड्राइवर IC नॉन इनवर्टिंग 8-SOIC

उत्पत्ति के प्लेस अमेरीका
ब्रांड नाम Infineon Technologies
प्रमाणन RoHS
मॉडल संख्या आईआरएस2181एसटीआरपीबीएफ
न्यूनतम आदेश मात्रा 2500
मूल्य negotiate
पैकेजिंग विवरण थोक
प्रसव के समय 5-8 कार्य दिवस
भुगतान शर्तें टी/टी
आपूर्ति की क्षमता 2500

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उत्पाद विवरण
उत्पाद का नाम आईआरएस2181एसटीआरपीबीएफ लॉजिक वोल्टेज - VIL, VIH 0.8 वी, 2.5 वी
वर्तमान - पीक आउटपुट (स्रोत, सिंक) 1.9ए, 2.3ए हाई साइड वोल्टेज - मैक्स (बूटस्ट्रैप)\ 600 वी
वोल्टेज आपूर्ति 10 वी ~ 20 वी पैकेज / मामला 8-एसओआईसी (0.154", 3.90 मिमी चौड़ाई)
हाई लाइट

IRS2181STRPBF इंटीग्रेटेड सर्किट चिप

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इंटीग्रेटेड सर्किट चिप नॉन इनवर्टिंग 8-SOIC

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IRS2181STRPBF हाफ ब्रिज गेट ड्राइवर IC

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उत्पाद विवरण

IRS2181STRPBF हाफ-ब्रिज गेट ड्राइवर IC नॉन-इनवर्टिंग 8-SOIC

विवरण

IRS2181/IRS21814 स्वतंत्र उच्च-पक्ष और निम्न-पक्ष संदर्भित आउटपुट चैनलों के साथ उच्च वोल्टेज, उच्च गति शक्ति MOSFET और IGBT ड्राइवर हैं।मालिकाना एचवीआईसी और लैच इम्यून सीएमओएस प्रौद्योगिकियां कठोर मोनोलिथिक निर्माण को सक्षम बनाती हैं।लॉजिक इनपुट मानक CMOS या LSTTL आउटपुट के साथ 3.3 V लॉजिक तक संगत है।आउटपुट ड्राइवरों में न्यूनतम चालक क्रॉस-कंडक्शन के लिए डिज़ाइन किया गया एक उच्च पल्स वर्तमान बफर चरण होता है।फ़्लोटिंग चैनल का उपयोग एन-चैनल पावर MOSFET या IGBT को हाई-साइड कॉन्फ़िगरेशन में चलाने के लिए किया जा सकता है जो 600 V तक संचालित होता है।

 

विशेषताएं
• फ़्लोटिंग चैनल बूटस्ट्रैप ऑपरेशन के लिए डिज़ाइन किया गया
• पूरी तरह से +600 V तक काम कर रहा है
• नकारात्मक क्षणिक वोल्टेज के प्रति सहिष्णु, dV/dtimune
• गेट ड्राइव सप्लाई रेंज 10 वी से 20 वी तक
• दोनों चैनलों के लिए अंडरवोल्टेज लॉकआउट
• 3.3 V और 5 V इनपुट लॉजिक संगत
• दोनों चैनलों के लिए प्रचार विलंब का मिलान किया
• लॉजिक और पावर ग्राउंड +/- 5 V ऑफ़सेट
• बेहतर शोर प्रतिरोधक क्षमता के लिए लोअर डीआई/डीटी गेट ड्राइवर
• आउटपुट स्रोत/सिंक करंट क्षमता 1.4 A/1.8 A
• RoHS कॉम्प्लाइंट

 

IRS2181STRPBF की विशिष्टता

श्रेणी
एकीकृत सर्किट (आईसी)
पावर प्रबंधन (पीएमआईसी)
गेट चालक
एमएफआर
अंतर्राष्ट्रीय सुधारक
श्रृंखला
-
उत्पाद की स्थिति
सक्रिय
संचालित विन्यास
आधा पुल
चैनल प्रकार
स्वतंत्र
ड्राइवरों की संख्या
2
गेट प्रकार
आईजीबीटी, एन-चैनल MOSFET
वोल्टेज आपूर्ति
10 वी ~ 20 वी
लॉजिक वोल्टेज - VIL, VIH
0.8 वी, 2.5 वी
वर्तमान - पीक आउटपुट (स्रोत, सिंक)
1.9ए, 2.3ए
निवेष का प्रकार
उल्टा नहीं करने वाला
हाई साइड वोल्टेज - मैक्स (बूटस्ट्रैप)
600 वी
उदय / पतन का समय (टाइप)
40एनएस, 20एनएस
परिचालन तापमान
-40 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
माउन्टिंग का प्रकार
माउंट सतह
पैकेज / मामला
8-एसओआईसी (0.154", 3.90 मिमी चौड़ाई)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
8-एसओआईसी

 

मूल

 

हमारी कंपनी सुनिश्चित करती है कि उत्पादों का प्रत्येक बैच मूल कारखाने से आता है, और मूल लेबल और पेशेवर परीक्षण एजेंसी रिपोर्ट प्रदान कर सकता है।

 

कीमत

 

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पैकेजिंग

 

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