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DS1312S-2+T&R IC कंट्रोलर NV 8-SOIC सरफेस माउंट IC 4.75V ~ 5.5V
| आदर्श: | DS1312S-2 + टी एंड आर |
|---|---|
| नियंत्रक प्रकार: | नॉन वोलाटाइल रैम |
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
DS1321E+ क्रिस्टल IC CTRL NV 5V 20TSSOP नॉनवॉलेटाइल RAM IC सरफेस माउंट
| आदर्श: | डीएस1321ई+ |
|---|---|
| नियंत्रक प्रकार: | नॉन वोलाटाइल रैम |
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
SM662PXF BESS पोल मॉड्यूल फ्लैश मेमोरी आईसी चिप EMMC 100-BGA
| आदर्श: | SM662PXF बेस |
|---|---|
| तकनीकी: | फ्लैश - नंद (टीएलसी) |
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
AT28C256-15UM पोल मॉड्यूल EEPROM IC फ्लैश मेमोरी समानांतर 150 Ns 28-CPGA
| आदर्श: | AT28C256-15UM/883-815 |
|---|---|
| तकनीकी: | EEPROM |
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
AT28C256-20UM पोल मॉड्यूल 28-CPGA EEPROM मेमोरी IC 256Kb समानांतर 200 Ns
| आदर्श: | AT28C256-20UM/883-815 |
|---|---|
| तकनीकी: | EEPROM |
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
SM662PXF BFSS IC नंद फ्लैश TLC IC मेमोरी EMMC 153-BGA
| आदर्श: | SM662PXF बीएफएसएस |
|---|---|
| तकनीकी: | फ्लैश - नंद (टीएलसी) |
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
AT28C256E-25UM पोल मॉड्यूल 256Kb EEPROM IC समानांतर 250 Ns 28-CPGA
| आदर्श: | AT28C256E-25UM/883-815 |
|---|---|
| तकनीकी: | EEPROM |
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
FEMC512GBE-E530 NAND मेमोरी IC 4Tb 200MHz नॉन वोलाटाइल मेमोरी IC
| आदर्श: | FEMC512GBE-E530 |
|---|---|
| तकनीकी: | फ्लैश - नंद (टीएलसी) |
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
SM662PXF पोल मॉड्यूल BFST 153-BGA फ्लैश मेमोरी IC EMMC नॉन वोलाटाइल
| आदर्श: | SM662PXF बीएफएसटी |
|---|---|
| तकनीकी: | फ्लैश - नंद (टीएलसी) |
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
SM662GXF BFSS नंद फ्लैश मेमोरी IC TLC EMMC 100-BGA एक्टिव
| आदर्श: | SM662GXF बीएफएसएस |
|---|---|
| तकनीकी: | फ्लैश - नंद (एसएलसी), फ्लैश - नंद (टीएलसी) |
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |