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SM662PEF बेस्ट फ्लैश मेमोरी IC 100-BGA (14x18)
| नमूना: | SM662PEF बेस्ट |
|---|---|
| तकनीकी: | फ्लैश - नंद (टीएलसी) |
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
MXD1210CWE+ CNTRLR NVRAM RAM IC
| नमूना: | एमएक्सडी1210सीडब्ल्यूई+ |
|---|---|
| नियंत्रक प्रकार: | नॉन वोलाटाइल रैम |
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
MXD1210ESA+T NVRAM नॉन वोलाटाइल IC RAM
| नमूना: | MXD1210ESA+T |
|---|---|
| नियंत्रक प्रकार: | नॉन वोलाटाइल रैम |
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
एल्यूमिनियम 1000uF 400V इलेक्ट्रोलाइटिक कैपेसिटर रेडियल 2000 घंटे 85 डिग्री LLG2G102MELC50
| नमूना: | LLG2G102MELC50 |
|---|---|
| समाई: | 1000 µF |
| सहनशीलता: | ±20% |
LLG2D102MELA35 एल्यूमिनियम इलेक्ट्रोलाइटिक कैपेसिटर रेडियल 1000uF 200V कैपेसिटर
| नमूना: | एलएलजी2डी102मेला35 |
|---|---|
| समाई: | 1000 µF |
| सहनशीलता: | ±20% |
UHE1H100MDD रेडियल एल्युमिनियम इलेक्ट्रोलाइटिक कैपेसिटर पोलर 10uF 50V इलेक्ट्रोलाइटिक कैपेसिटर
| नमूना: | UHE1H100MDD |
|---|---|
| समाई: | 10 µF |
| सहनशीलता: | ±20% |
UCS2G330MHD एल्युमिनियम इलेक्ट्रोलाइटिक कैपेसिटर रेडियल 33uF 400V कैपेसिटर
| नमूना: | UCS2G330MHD |
|---|---|
| समाई: | 33 µF |
| सहनशीलता: | ±20% |
रेडियल 3300uF 100V इलेक्ट्रोलाइटिक कैपेसिटर 3000 घंटे 85 डिग्री LLS2A332MELC
| नमूना: | एलएलएस2ए332एमईएलसी |
|---|---|
| समाई: | 3300 µF |
| सहनशीलता: | ±20% |
UCS2W680MHD एल्यूमिनियम इलेक्ट्रोलाइटिक कैपेसिटर रेडियल 68uF 450V कैपेसिटर
| नमूना: | UCS2W680MHD |
|---|---|
| समाई: | 68 µF |
| सहनशीलता: | ±20% |
3300uF 180V एल्यूमिनियम इलेक्ट्रोलाइटिक कैपेसिटर रेडियल 2000 घंटे 85 डिग्री LLG2Z332MELC45
| नमूना: | LLG2Z332MELC45 |
|---|---|
| समाई: | 3300 µF |
| सहनशीलता: | ±20% |