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पी चैनल IRF9540NPBF सर्किट चिप्स 100 V 23A (Tc) 140W (Tc) होल TO-220AB के माध्यम से

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xउत्पाद का नाम | आईआरएफ9540एनपीबीएफ | वीजीएस (वें) (अधिकतम) आईडी | 4V 250µA |
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गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) वीजीएस | 97 एनसी 10 वी | वीजीएस (अधिकतम) | ± 20 वी |
आरडीएस ऑन (अधिकतम) आईडी, वीजीएस | 117mOhm 11A, 10V | आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज | टू-220AB |
हाई लाइट | पी चैनल IRF9540NPBF,IRF9540NPBF छेद के माध्यम से,सर्किट चिप्स 100 V TO-220AB |
IRF9540NPBF P-चैनल 100 V 23A (Tc) 140W (Tc) छेद से TO-220AB
इंटेमेशनल रेक्टीफाई से पांचवीं पीढ़ी के हेक्सफेट प्रति सिलिकॉन क्षेत्र में बेहद कम ऑन-रेसिस्टेंस प्राप्त करने के लिए उन्नत प्रसंस्करण तकनीकों का उपयोग करते हैं।यह लाभ, तेज स्विचिंग गति और मज़बूत डिवाइस डिज़ाइन के साथ संयुक्त है, जिसके लिए HEXFET PowerMOSFETS अच्छी तरह से जाना जाता है, डिज़ाइनर को अनुप्रयोगों की एक विस्तृत विविधता में उपयोग के लिए एक अत्यंत कुशल और विश्वसनीय उपकरण प्रदान करता है।
TO-220 पैकेज लगभग 50 वाट तक बिजली अपव्यय स्तर पर सभी वाणिज्यिक औद्योगिक अनुप्रयोगों के लिए सार्वभौमिक रूप से पसंद किया जाता है।TO-220 की कम तापीय प्रतिरोध और कम पैकेज लागत पूरे उद्योग में इसकी व्यापक स्वीकृति में योगदान करती है।
IRF9540NPBF की विशिष्टता
एमएफआर
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इंफिनियोन टेक्नोलॉजीज
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श्रृंखला
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हेक्सफेट
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उत्पाद की स्थिति
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सक्रिय
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एफईटी प्रकार
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पी-चैनल
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तकनीकी
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MOSFET (धातु ऑक्साइड)
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ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
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100 वी
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करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) 25°C
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23ए (टीसी)
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ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)
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10 वी
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आरडीएस ऑन (अधिकतम) आईडी, वीजीएस
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117mOhm 11A, 10V
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वीजीएस (वें) (अधिकतम) आईडी
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4V 250µA
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गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) वीजीएस
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97 एनसी 10 वी
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वीजीएस (अधिकतम)
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± 20 वी
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इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) Vds
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1300 पीएफ 25 वी
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एफईटी सुविधा
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बिजली अपव्यय (अधिकतम)
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140W (टीसी)
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परिचालन तापमान
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-55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
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माउन्टिंग का प्रकार
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छेद के माध्यम से
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आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
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टू-220AB
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पैकेज / मामला
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TO-220-3
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