DS1270Y-70 फ्लैश मेमोरी IC नॉन वोलाटाइल SRAM IC 16Mb 70ns

उत्पत्ति के प्लेस	अमेरीका
ब्रांड नाम	Analog Devices Inc./Maxim Integrated
प्रमाणन	RoHS
मॉडल संख्या	DS1270Y-70#
न्यूनतम आदेश मात्रा	1
मूल्य	negotiations
पैकेजिंग विवरण	नली
प्रसव के समय	5-10 कार्य दिवस
भुगतान शर्तें	टी/टी
आपूर्ति की क्षमता	10

उत्पाद विवरण

आदर्श	DS1270Y-70#	तकनीकी	एनवीएसरैम (गैर-वाष्पशील एसआरएएम)
मेमोरी क्षमता	16एमबी (2एम x 8)	पहूंच समय	70 एनएस
उत्पाद की स्थिति	सक्रिय	परिचालन तापमान	-40 डिग्री सेल्सियस ~ 85 डिग्री सेल्सियस
माउन्टिंग का प्रकार	माउंट सतह	अनुप्रयोग	मोटर वाहन
प्रमुखता देना	DS1270Y-70 फ्लैश मेमोरी IC , DS1270Y-70 SRAM IC , नॉन वोलाटाइल SRAM IC 16Mb 70ns

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उत्पाद विवरण

DS1270Y-70# NVSRAM (गैर-वाष्पशील SRAM) मेमोरी IC 16Mb (2M X 8) समानांतर 70ns

एमएफआर	एनालॉग डिवाइस इंक/मैक्सिम इंटीग्रेटेड
श्रृंखला	-
उत्पाद की स्थिति	सक्रिय
मेमोरी प्रकार	गैर वाष्पशील
मेमोरी प्रारूप	एनवीएसरैम
तकनीकी	एनवीएसरैम (गैर-वाष्पशील एसआरएएम)
मेमोरी का आकार	16एमबी (2एम x 8)
मेमोरी इंटरफ़ेस	समानांतर
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ	70ns
पहूंच समय	70 एनएस
वोल्टेज आपूर्ति	4.5 वी ~ 5.5 वी
परिचालन तापमान	0 डिग्री सेल्सियस ~ 70 डिग्री सेल्सियस (टीए)
माउन्टिंग का प्रकार	छेद के माध्यम से
पैकेज / मामला	36-डीआईपी मॉड्यूल (0.610", 15.49 मिमी)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज	36-ईडीआईपी

DS1270Y-70 फ्लैश मेमोरी IC नॉन वोलाटाइल SRAM IC 16Mb 70ns

DS1270Y-70 फ्लैश मेमोरी IC

DS1270Y-70 SRAM IC

नॉन वोलाटाइल SRAM IC 16Mb 70ns

DS1270Y-70# NVSRAM (गैर-वाष्पशील SRAM) मेमोरी IC 16Mb (2M X 8) समानांतर 70ns

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