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आपूर्ति वोल्टेज रेंज 2.7 वी - 3.6 वी एकीकृत सर्किट 4Mbit मेमोरी क्षमता के साथ
| Mounting Type: | Surface Mount |
|---|---|
| Memory Type: | NOR Flash |
| Speed: | 50ns |
दक्ष मेमोरी संगठन 512K X 8 एकीकृत सर्किट लेखन चक्र समय 50μs के साथ
| Operating Temperature: | -40°C ~ 85°C |
|---|---|
| Voltage - Supply: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Packaging: | Reel |
50μs लिखना चक्र समय एकीकृत सर्किट 2.7V - 3.6V वोल्टेज - आपूर्ति
| Product Type: | Flash Memory IC |
|---|---|
| Supply Voltage - Min: | 2.7 V |
| Voltage - Supply: | 2.7 V ~ 3.6 V |
औद्योगिक आवश्यकताओं के लिए 20 वर्ष के डेटा भंडारण के साथ कुशल SOIC-8 एकीकृत सर्किट
| Product Type: | Flash Memory IC |
|---|---|
| Data Retention: | 20 Years |
| Supply Voltage - Max: | 3.6 V |
NOR फ्लैश एकीकृत सर्किट 2.7V - 3.6V वोल्टेज - आपूर्ति विश्वसनीय स्मृति
| Package / Case: | SOIC-8 |
|---|---|
| Data Retention: | 20 Years |
| Write Cycle Time - Page: | 50µs |
20 वर्ष के डेटा भंडारण के साथ कुशल एकीकृत सर्किट - न्यूनतम आपूर्ति वोल्टेज 2.7V
| Data Retention: | 20 Years |
|---|---|
| Packaging: | Reel |
| Mounting Type: | Surface Mount |
ऊर्जा कुशल समाधानों के लिए आपूर्ति वोल्टेज - न्यूनतम 2.7 वी एकीकृत सर्किट
| Data Retention: | 20 Years |
|---|---|
| Packaging: | Reel |
| Memory Capacity: | 4Mbit |
50μs 50ns की गति के साथ चक्र समय चिप लिखें
| उत्पाद का प्रकार: | फ्लैश मेमोरी आईसी |
|---|---|
| रफ़्तार: | 50ns |
| मेमोरी प्रकार: | न ही फ्लैश |
4 एमबीटी मेमोरी क्षमता 20 वर्ष डेटा भंडारण 50 एनएस स्पीड चिप
| माउन्टिंग का प्रकार: | माउंट सतह |
|---|---|
| वोल्टेज आपूर्ति: | 2.7 वी ~ 3.6 वी |
| आपूर्ति वोल्टेज - मैक्स: | 3.6 वी |
50ns गति 512K X 8 स्मृति संगठन 2.7V-3.6V वोल्टेज आपूर्ति चिप
| पैकेजिंग: | रील |
|---|---|
| याददाश्त क्षमता: | 4 एमबीटी |
| चक्र समय लिखें - शब्द: | 50μs |

