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फ्लैश मेमोरी IC 512K X 8 ऑपरेटिंग तापमान-40°C ~ 85°C
| पैकेज / मामला: | एसओआईसी-8 |
|---|---|
| चक्र समय लिखें - पृष्ठ: | 50μs |
| वोल्टेज आपूर्ति: | 2.7 वी ~ 3.6 वी |
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2.7V-3.6V फ्लैश मेमोरी आईसी -40°C ~ 85°C ऑपरेटिंग तापमान के लिए
| पैकेजिंग: | रील |
|---|---|
| मेमोरी प्रकार: | न ही फ्लैश |
| आपूर्ति वोल्टेज - मैक्स: | 3.6 वी |
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औद्योगिक स्वचालन के लिए 512K X 8 SOIC-8 रील पैकेज चिप
| चक्र समय लिखें - शब्द: | 50μs |
|---|---|
| आपूर्ति वोल्टेज - मैक्स: | 3.6 वी |
| याददाश्त क्षमता: | 4 एमबीटी |
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50μs लिखना चक्र समय चिप फास्ट पेज और वर्ड लिखना प्रदर्शन
| डेटा प्रतिधारण: | 20 साल |
|---|---|
| पैकेजिंग: | रील |
| पैकेज / मामला: | एसओआईसी-8 |
DS1270Y-70IND# NVSRAM मेमोरी IC 16Mb
| नमूना: | DS1270Y-70IND# |
|---|---|
| मेमोरी का आकार: | 16एमबी (2एम x 8) |
| पहूंच समय: | 70 एनएस |
MAX6495ATT+T ओवरवॉल्टेज प्रोटेक्शन कंट्रोलर 6-TDFN
| नमूना: | MAX6495ATT+T |
|---|---|
| प्रकार: | ओवरवॉल्टेज प्रोटेक्शन कंट्रोलर |
| अनुप्रयोग: | ऑटोमोटिव |
LTM2889IY-3#PBF पृथक ट्रांसीवर 32-BGA
| नमूना: | LTM2889IY-3#PBF |
|---|---|
| प्रकार: | ट्रांसीवर, पृथक |
| अनुप्रयोग: | ऑटोमोटिव |